De reactie gesinterde die peddels van het siliciumcarbide aan de ladingssysteem van het halfgeleiderwafeltje worden gebruikt
De reactie gesinterde de cantileverdunne modder van het siliciumcarbide is een essentieel onderdeel van het de ladingssysteem van het halfgeleiderwafeltje. Het wordt hoofdzakelijk gebruikt in de photovoltaic nieuwe energieindustrie. Tijdens de toepassing van polycrystalline siliciumwafeltjes of single-crystal siliciumwafeltjes in de het ontmantelen oven, de lading en het vervoer van siliciumwafeltjes in milieu's op hoge temperatuur (1000-1300 ° C), kunnen de Productspecificaties volgens klantenvereisten worden aangepast.
Het deeg van het siliciumcarbide voor photovoltaic nieuwe energieindustrie. De belangrijkste specificaties zijn 2378mm, 25550mm, 2660mm, enz. Het wordt gebruikt in de verspreidingsoven om polycrystalline siliciumwafeltjes of de wafeltjes van het enig kristalsilicium (verspreiding) tijdens deklaag en het vervoeren van siliciumwafeltjes in milieu's op hoge temperatuur met een laag te bedekken.
De cantileverdunne modder heeft stabiele prestaties, verandert niet onder milieu op hoge temperatuur van vorm, en heeft de grote kracht van de wafeltjelading, die voor robotachtig automatische ladend en behandelend systeem geschikt is. Omdat de oppervlakte van de cantileverdunne modder stabiel en niet misvormd is, wordt het mogelijk om de bestaande ovenbuizen te gebruiken om grotere specificaties van ronde buizen voor te bereiden.
De thermische uitbreidingscoëfficiënt van cantileverdunne modder is gelijkaardig aan dat van LPCVD-deklaag, en het wordt toegepast op LPCVD, die zeer het onderhoud en de schoonmakende cyclus verlengt en zeer verontreinigende stoffen vermindert.
| De Technische Datum van SISIC |
| Punt |
Eenheid |
Gegevens |
| Maximum temperatuur van toepassing |
ºC |
1380 |
| Dichtheid |
g/cm3 |
≥3.02 |
| Open poreusheid |
% |
<0>
|
| Buigende sterkte |
Mpa |
250 (20ºC) |
| |
Mpa |
280 (1200ºC) |
| Modulus van elasticiteit |
Gpa |
330 (20ºC) |
| |
Gpa |
300 (1200ºC) |
| Warmtegeleidingsvermogen |
W/m.k |
45 (1200ºC) |
| Coëfficiënt van thermische uitbreiding |
K-1×10-6 |
4.5 |
| Starheid |
|
13 |
| Zuur alkalisch-bewijs |
|
Uitstekend |
Foto's van Sisic-de peddel van het siliciumcarbide
Wat kunnen wij voor u doen?
1. De steekproef is beschikbaar.
2. Onafhankelijk R&D, ISO-vervaardiging, nauwkeurige kwaliteitsnormen, modern logistiekbeheer, en correcte marketing strategie.
3. Het onderzoek antwoordde binnen 24 uren.
4. Gepatenteerde producten.
5. OEM of ODM zijn beschikbaar.
6. Sommige extra toebehoren kunnen worden geleverd.
7.The grotere hoeveelheid u, de concurrerendere prijzen opdracht geeft tot u zult krijgen.
8. De noodzakelijke Certificaten kunnen worden geleverd.
FAQ
Q: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
A: Wij zijn fabriek
Q: Hoe lang is uw levertijd?
A: Over het algemeen is het 5-10 dagen als de goederen in voorraad zijn. of het is 25-30 dagen als de goederen niet in voorraad zijn, is het volgens hoeveelheid.
Q: Verstrekt u steekproeven? is het extra vrij of?
A: Ja, konden wij de steekproef voor vrije last aanbieden maar betalen niet de kosten van vracht.
Q: Wat is uw betalingsvoorwaarden?
A: Payment=1000USD<>, 30% T/T vooraf, saldo vóór verzending.
Als u een andere vraag hebt, pls voel vrij om ons te contacteren zoals hieronder:
Yui
WEIFANG BETER CERAMISCH CO., LTD
Menigte: +8618615910108 (Whatsapp)
TEI: +86-536-2693828
Wechat: 18615910108 QQ: 3001737400
E-mail: yui@wf-better.com-Web: www.wf-better.com
hete markering: de stralen van het siliciumcarbide; sisic rol, pijp, buis, uitgebeend het siliciumcarbide van China reactie
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
